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中芯國際遭臺積電減持背后:業績承壓,14納米技術量產待考

中芯國際高端制程貢獻的收入占比遠低于臺積電等第一梯隊。

圖片來源:視覺中國

記者 | 習曼琳

臺積電(TSM.US)近日公告稱,將減持中芯國際(0981.HK)943.7萬股,每股平均作價9.28港元,總交易金額約達8758萬港元。最新持股數目約為1166.8萬股,最新持股比例約為0.2%。

此前在5月24日,中芯國際(SIM.N)申請在紐交所退市,退市后依然可在場外交易。消息公布后,中芯國際美股和港股同時大跌4%,隨后均出現大漲,創下去年9月以來的新高。

資料顯示,中芯國際成立于2000年,是一家純晶圓代工廠,也是中國內地規模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業,提供0.35微米到28納米8寸和12寸芯片代工與技術服務。目前全球最先進的制程工藝為7納米,實現量產的最大晶圓尺寸為12英寸。制程工藝越精細、晶圓尺寸越大,集成度越高,可使器件功耗降低、性能提高,相應的工藝難度和成本也越高。

來源:公司官網

截至去年底,中芯國際的三大股東分別為大唐控股(國務院國資委控制)、鑫芯香港(國家集成電路大基金控制)和紫光集團,分別持股17.06%、15.82%和7.43%。

中芯國際總部位于上海,實際控制人為國務院國資委。目前,其在全球一共六家代工廠,在上海和北京各有一座300mm(12英寸)晶圓廠;另外,在上海、天津、深圳和意大利阿韋扎諾各有一座有200mm(8英寸)晶圓廠。

來源:公告

在制程工藝方面,公司目前已經完成28納米布局,正在攻克的是14納米FinFET制程技術。

綜合2018年年報和2019年季報表述,在28納米階段,中芯國際已經完成HKC技術研發并開始客戶導入工作。公司稱,第二代28HKMG平臺28HKC+,相比第一代28HKMG技術功能改善15%并節省能源25%,將于2019年規模生產;在14納米階段,已經完成14納米FinFET技術研發并開始客戶導入,將于2019年開始風險生產,而非此前聲稱的量產。

今年一季報中,中芯國際首席執行官梁孟松稱FinFET研發進展順利,配套的上海中芯南方FinFET工廠已經建造完成,開始進入產能布建,并未稱何時量產;在12納米階段,中芯國際已完成技術研發,進入客戶導入階段;在光罩制造方面,公司已開發出14納米級光罩,今年可提供14納米光罩制造服務。

總體來看,中芯國際在28納米制程方面已經成熟,28納米技術于2013年第四季度推出,目前可提供28納米PolySiON和HKMG制程服務。

在高端消費電子方面,相對于40納米工藝制程可應用于手機基帶及應用處理器和平板電腦多媒體應用處理器,28納米工藝制程可直接應用于智能手機、平板電腦。但中信建投在研報中表示,華為麒麟960/970/980制程分別為16/10/7納米,中芯國際14納米工藝處于960-970之間,在當前手機性能過剩的情況下,其工藝只可滿足中低檔手機需求。梁孟松在業績溝通會上也表示,中端智能手機應用處理器和其他消費產品正在從28納米遷移到14納米和12納米。所以中芯國際依然需要加快步伐。

雖然中芯國際最先進的制程工藝已為28納米,并且已在高端制程工藝上取得突破,但其主要收入來源依然是落后制程:2018年,中芯國際實現營業收入232億,實現凈利潤9.2億,75%的收入來自45納米以上的落后制程產品,25%來自40/45納米以下產品,其中最高制程28納米對收入的貢獻只有6%,高端制程貢獻的收入占比遠低于臺積電等第一梯隊。

來源:公司公告

相比之下,臺積電在2010年量產28納米技術,2015年實現14/16納米芯片商業化量產,目前已經實現10納米和7納米量產。

FinFET,中文名叫鰭式場效應晶體管,是一種新的互補式金氧半導體晶體管。當晶體管的尺寸小于25納米以下,傳統的平面場效應管的尺寸已經無法縮小,FinFET將場效應管立體化。2015年三星率先將FinFET技術用于10nm制程,2016年臺積電也將FinFET技術用于10nm制程節點。

為了追趕臺積電、格羅方德和聯華電子等對手,中芯國際從28納米工藝直接跳級到14納米工藝。2015年6月,中芯國際和華為、高通、IMEC合作研發14納米工藝。為了實現14納米FinFET制程技術研發,并在2019年實現每月量產3.5萬片的目標,中芯國際在2017年聘請臺積電前高管梁孟松擔任首席執行官,并牽手兩大基金。2018年1月,中芯控股、中芯上海與國家集成電路基金及上海集成電路基金簽訂合資合同和增資擴股協議,四方將聯合向14納米制程晶圓廠中芯南方集成電路製造有限公司注資102.4億美元,其中兩個基金承諾出資17億美元。

公司稱,通過將與國家集成電路基金和上海集成電路基金以合資形式建立12英寸晶圓廠,可加快引進先進的製造工藝和產品,亦減輕因先進制程產能擴充而產生的巨額現金投資和巨大折舊成本。

從中芯國際的發展歷程來看,為突破先進制程工藝帶來的巨額投入和折舊拖累了盈利能力。2016年中芯國際實現凈利潤26億,隨后在2017年和2018年持續下滑。2016年同樣也是公司毛利率和凈利率拐點,隨后雙雙下滑。并且未來盈利預測悲觀,2019年度和2020年度預計凈利潤分別為3.8億和4.4億,遠低于2018年。

公司管理層稱,近兩年中芯國際處于“轉型過渡期”。一方面,智能手機增長放緩,2018年中芯國際41%的收入來自通訊產品,并且智能手機行業增長主要動力轉為由先進制程的高性能運算產品為主,成熟制程的競爭愈加激烈,價格壓力遠大于原先的預期,公司晶圓平均售價逐年下跌,2018年,每片晶圓的售價從719美元降至656美元;另一方面,新產能擴充所帶來的折舊費用增加以及研發投入的加大拖累了業績。

財報顯示,從2016年起,中芯國際開始加大研發投入和資本開支。在2016-2018年,中芯國際的研發投入分別為22億、28億和38億;資本開支分別為197億、152億和126億,其中主要用于產能擴充和技術研發;折舊及攤銷費用分別為51億、63億和72億,其中主要是物業、廠房和設備折舊。

在2019年,公司的研發重點依然是FinFET技術,公司2019年的計劃資本開支約為21億美元,主要用于擴張上海300mm晶圓廠的產能及FinFET研發線。

半導體產業存在著以2~3年為階段的“硅周期”,中芯國際表示目前半導體行業的周期性和原材料波動,依然是面臨的最主要的兩大挑戰。

中信建投發布研報稱,目前國內半導體產業處于逆產業周期突破階段,半導體廠商大幅投資,帶動國內半導體設備市場快速增長,此次華為事件會進一步加速國內半導體在IC設計、IC制造及相關設備等領域的布局。

6月6日收盤,中芯國際美股報5.52美元,港股報8.76港元。

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